专利名称 用于SRAM的自校准时钟电路
类别 发明专利 状态 授权
专利号码 200910153798.2 拥有人 浙江大学
应用领域 高端装备制造业 获得方式 自主研发
专利介绍 本发明公开了一种用于SRAM的自校准时钟电路,由第一反相器、第二反相器、PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管构成,其中:PMOS管栅极、第一NMOS管栅极及第一反相器输出端相连,第一反相器输入端接nReset信号输入;PMOS管源极接CLK信号、第一NMOS管源极接地;PMOS管漏极、第一NMOS管漏极及第二NMOS管漏极相连并输出GCK信号;第二NMOS管栅极接第二反相器输出端,第二反相器输入端以及第二NMOS管源极接CLK信号输入。本发明电路非常简练、延时短可以加快SRAM读取速度,同时也考虑了SRAM工艺变化带来的影响,实现对SRAM工艺变化的抑制功能。

 

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