| 专利名称 | 用于SRAM的自校准时钟电路 | ||
| 类别 | 发明专利 | 状态 | 授权 |
| 专利号码 | 200910153798.2 | 拥有人 | 浙江大学 |
| 应用领域 | 高端装备制造业 | 获得方式 | 自主研发 |
| 专利介绍 | 本发明公开了一种用于SRAM的自校准时钟电路，由第一反相器、第二反相器、PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管构成，其中：PMOS管栅极、第一NMOS管栅极及第一反相器输出端相连，第一反相器输入端接nReset信号输入；PMOS管源极接CLK信号、第一NMOS管源极接地；PMOS管漏极、第一NMOS管漏极及第二NMOS管漏极相连并输出GCK信号；第二NMOS管栅极接第二反相器输出端，第二反相器输入端以及第二NMOS管源极接CLK信号输入。本发明电路非常简练、延时短可以加快SRAM读取速度，同时也考虑了SRAM工艺变化带来的影响，实现对SRAM工艺变化的抑制功能。 | ||
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