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       碳化硅晶体不仅与GaN 外延膜的晶格匹配,具有蓝色发光特性,可以制作白光LED,而且碳化硅衬底的导热性能(导热系数为490W/(m·K))要比蓝宝石衬底高出10倍以上,有利于制作对散热要求高、面积较大的大功率LED器件。据报道,碳化硅作为LED衬底材料的市场份额仅次于蓝宝石衬底材料,全球4英寸衬底产能为2000片/月,预计2014-2015年可达6000片/月。SiC衬底市场以美国Cree公司为领头羊,日本新日铁和罗姆并驾齐驱位列第二集团,而国内发展则相对滞后。

       近年来,中科院上海硅酸盐研究所在国家科技专项的支持下,建成了SiC“晶体生长—晶体加工—检测表征—清洗封装”中试生产线,造就了一支高水平的碳化硅研发团队,成为我国拥有自主知识产权的SiC晶体材料重要研发基地。计划2012年初开始向市场批量提供2英寸LED用SiC晶体,2012年底开始提供3~4英寸LED用SiC晶体,可推动现售导电型SiC晶片的市场价格进一步下降。

 

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